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参数资料
| 型号： | IRHN93250 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶体管（之HEXFET晶体管） |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | IRHN93250 |
IRHN9250, IRHN93250 Devices
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
-12V
Pulse Width
￡ 1
μs
Duty Factor
￡ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
0.01
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
3
6
9
12
15
-
D
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