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参数资料
| 型号： | IRHNA593260 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET表面贴装系统（SMD - 2） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | IRHNA593260 |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHNA597260
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-12 V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
-12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
-16A
-22.5A
-35.5A
TOP
BOTTOM
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
V
V
DD
DRIVER
A
15V
-20V
tp
V
(BR)DSS
I
AS
+
-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNA597260 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) |
| IRHNA63160 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2), 100V, N-CHANNEL |
| IRHNA67160 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2), 100V, N-CHANNEL |
| IRHNA7Z60 | 30Volt, 0.009Ω, RAD HARD HEXFET(30V, 0.009Ω,抗辐射N沟道HEXFET晶体管) |
| IRHNA8Z60 | 30Volt, 0.009Ω, RAD HARD HEXFET(30V, 0.009Ω,抗辐射N沟道HEXFET晶体管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHNA593260SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNA593260SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNA593Z60 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHNA593Z60SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNA593Z60SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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