- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384503 > IRHNJ3130 (International Rectifier) 100V, N-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRHNJ3130 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 100V, N-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY |
| 中文描述： | 100V的N通道抗辐射HEXFET MOSFET技术 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | IRHNJ3130 |
www.irf.com
7
IRHNJ7130
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
.
Pre-Irradiation
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
6.4A
9.1A
14A
TOP
BOTTOM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNJ4130 | 100V, N-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY |
| IRHNJ8130 | 100V, N-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY |
| IRHNJ7130 | 100V, N-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY |
| IRHNJ53034 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
| IRHNJ54034 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHNJ3130SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNJ3130SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNJ3230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNJ3230SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNJ3230SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。