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参数资料
| 型号： | IRHNJ57230 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 200V, N-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(200V,表贴型抗辐射功率N沟道MOS场效应管) |
| 中文描述： | 为200V，N沟道表面安装抗辐射功率MOSFET（200V的电压，表贴型抗辐射功率?沟道马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | IRHNJ57230 |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHNJ57230
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
5.8A
8.2A
13A
TOP
BOTTOM
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRHQ57110 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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