- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录360962 > IRHNJ7230 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.4A I(D) | SMT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRHNJ7230 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.4A I(D) | SMT |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 200伏五（巴西）直| 9.4AI（四）|贴片 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | IRHNJ7230 |
www.irf.com
7
IRHNJ7230
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
.
Pre-Irradiation
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
4.2A
5.9A
9.4A
TOP
BOTTOM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNJ7330SE | 400V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel SEE Hardened MOSFET in a SMD-0.5 package |
| IRHNJ7430SE | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | SMT |
| IRHNJ8230 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.4A I(D) | SMT |
| IRHNJ3230 | 200V, N-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(200V,表贴型抗辐射功率N沟道MOS场效应管) |
| IRHNJ4230 | 200V, N-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(200V,表贴型抗辐射功率N沟道MOS场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHNJ7230SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNJ7230SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNJ7330SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNJ7330SESCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNJ7430SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。