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参数资料
| 型号： | IRHQ58110 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N沟道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | IRHQ58110 |
IRHQ57110
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
0.1
1
10
100
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
12V
4.6A
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
12V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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