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参数资料
| 型号： | IRHQ58110 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N沟道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | IRHQ58110 |
IRHQ57110
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
T , Case Temperature
75
100
125
(°
150
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I
D
V
GS
0.1
0.00001
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHQ54110 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| IRHQ93110 | 100V, 4 P-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(100V,表贴型抗辐射功率四P沟道MOS场效应管) |
| IRHY3230CM | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
| IRHY8230CM | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRHQ6110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
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