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参数资料
| 型号： | IRHQ9110 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | LLCC |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的|阵| P通道| 100V的五（巴西）直| 2.3AI（四）| LLCC |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | IRHQ9110 |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHQ9110
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
.
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
-1A
-1.5A
-2.3A
TOP
BOTTOM
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-12V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
V
DD
DRIVER
A
15V
-20V
GS
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRHQ93110 | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | LLCC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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