参数资料
型号: IRKT142
厂商: International Rectifier
英文描述: THYRISTOR/DIODE and THYRISTOR/THYRISTOR
中文描述: 晶闸管/二极管和晶闸管/晶闸管
文件页数: 2/12页
文件大小: 381K
代理商: IRKT142
IRK.136, .142, .162 Series
Bulletin I27117 rev. C 03/02
2
www.irf.com
Type number
Voltage
Code
V
RRM
/V
DRM
, Maximum repetitive V
RSM
/V
DSM
, Maximum non-repetitive
peak reverse voltage
V
I
I
@ 125°C
m A
peak reverse voltage
V
IRK.136
04
400
500
50
IRK.142
08
800
900
IRK.162
12
1200
1300
14
1400
1500
16
1600
1700
I
T(AV)
Max. average on-state current
135
140
160
A
180° conduction, half sine wave
@ Case temperature
85
85
85
°C
I
T(RMS)
Max. RMS on-state current
300
310
355
A
as AC switch
I
TSM
Maximum peak, one-cycle
3200
4500
4870
A
t = 10ms
No voltage
on-state, non-repetitive
3360
4712
5100
t = 8.3ms reapplied
surge current
2700
3785
4100
t = 10ms
100% V
RRM
2800
3963
4300
t = 8.3ms reapplied
Sine half wave,
I
2
t
Maximum I
2
t for fusing
51.5
102
119
KA
2
s
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= T
J
max.
47
92.5
108
t = 8.3ms reapplied
36.5
71.6
84
t = 10ms
100% V
RRM
33.3
65.4
76.7
t = 8.3ms reapplied
I
2
t
Maximum I
2
t for fusing
515.5
1013
1190
KA
2
s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
T(TO)1
Low level value of threshold
voltage
0.86
0.83
0.8
V
(16.7% x
π
x I
T(AV)
< I <
π
x I
T(AV)
), @ T
J
max.
V
T(TO)2
High level value of threshold
voltage
1.05
1
0.98
(I >
π
x I
T(AV)
), @ T
J
max.
r
t1
Low level value on-state
2.02
1.78
1.67
m
(16.7% x
π
x I
T(AV)
< I <
π
x I
T(AV)
), @ T
J
max.
slope resistance
r
t2
High level value on-state
1.65
1.43
1.38
(I >
π
x I
T(AV)
), @ T
J
max.
slope resistance
V
TM
Maximum forward voltage drop
1.57
1.55
1.54
V
I
TM
=
π
x I
T(AV)
, T
J
= 25°C, 180°conduction
I
H
I
L
Maximum holding current
200
mA
Anode supply = 6V initial I
T
= 30A, T
J
= 25°C
Anode supply = 6V resistive load = 1
Maximum latching current
400
mA
Gate pulse: 10V, 100μs, T
J
= 25°C
t
gd
Typical delay time
1
T
J
= 25
o
C
T
J
= 25
o
C
I
TM
= 300 A; -dI/dt = 15 A/μs; T
J
= T
J
max
V
r
= 50 V; dV/dt = 20 V/μs; Gate 0 V, 100
Gate Current=1A dIg/
dt
=1A/μs
t
gr
t
q
Typical rise time
2
μs
Vd=0,67% V
DRM
Typical turn-off time
50 - 200
Parameter
IRK.136
IRK.142
IRK.162
Units Conditions
Forward Conduction
Switching
Electrical Specifications
Voltage Ratings
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IRKT142/08 功能描述:SCR DBL HISCR 800V 140A INTAPAK RoHS:否 类别:半导体模块 >> SCR 系列:- 其它有关文件:SCR Module Selection Guide 标准包装:10 系列:- 结构:串联 - SCR/二极管 SCR 数目,二极管:1 SCR,1 个二极管 电压 - 断路:1600V 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大):150mA 电流 - 导通状态 (It (AV))(最大):95A 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大):210A 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm):1785A,1870A 电流 - 维持(Ih):250mA 安装类型:底座安装 封装/外壳:ADD-A-PAK(3 + 2) 包装:散装 其它名称:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
IRKT142/08PBF 功能描述:SCR模块 800 Volt 140 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKT142/12 功能描述:SCR DBL HISCR 1200V 140A INTAPAK RoHS:否 类别:半导体模块 >> SCR 系列:- 其它有关文件:SCR Module Selection Guide 标准包装:10 系列:- 结构:串联 - SCR/二极管 SCR 数目,二极管:1 SCR,1 个二极管 电压 - 断路:1600V 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大):150mA 电流 - 导通状态 (It (AV))(最大):95A 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大):210A 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm):1785A,1870A 电流 - 维持(Ih):250mA 安装类型:底座安装 封装/外壳:ADD-A-PAK(3 + 2) 包装:散装 其它名称:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
IRKT142/12PBF 功能描述:SCR模块 1200 Volt 140 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK