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参数资料
型号： IRKTF111-04HNN
厂商： International Rectifier
英文描述： FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
中文描述： 快速晶闸管/二极管和晶闸管/晶闸管
文件页数： 2/8页
文件大小： 141K
代理商： IRKTF111-04HNN
IRK.F112.. Series
2
Bulletin I27091 rev. A 09/97
www.irf.com
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
Voltage
Code
V
RRM
/V
DRM
, maximum repetitive
peak reverse voltage
V
400
V
RSM
, maximum non-
repetitive peak rev. voltage
V
400
I
RRM
/I
DRM
max.
@ T
J
= 125°C
mA
Type number
04
08
800
800
I
T(AV)
Maximum average on-state current
112
A
180° conduction, half sine wave
@ Case temperature
90
°C
I
T(RMS)
I
TSM
Maximum RMS current
250
A
T
C
= 90°C, as AC switch
t = 10ms
No voltage
Maximum peak, one-cycle,
3090
A
non-repetitive surge current
3237
t = 8.3ms
reapplied
2600
t = 10ms
100% V
RRM
reapplied
2720
t = 8.3ms
Sinusoidal half wave,
I
2
t
Maximum I
2
t for fusing
47.8
KA
2
s
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= 125°C
43.6
t = 8.3ms
reapplied
33.8
t = 10ms
100% V
RRM
reapplied
30.8
t = 8.3ms
I
2
√
t
Maximum I
2
√
t for fusing
478
KA
2
√
s
t = 0 to 10ms, no voltage reapplied
V
T(TO)1
Low level value of threshold voltage
V
T(TO)2
High level value of threshold voltage
1.19
V
(16.7% x
π
x I
T(AV)
< I <
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
(I >
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
(16.7% x
π
x I
T(AV)
< I <
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
(I >
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
1.43
r
t1
Low level value of on-state slope resistance
1.67
mW
r
t2
High level value of on-state slope resistance
1.12
V
TM
Maximum on-state voltage drop
1.77
V
I
pk
= 350A, T
J
= T
J
max., t
p
= 10ms sine pulse
I
H
Maximum holding current
600
mA
T
J
= 25°C, I
T
> 30 A
T
J
= 25°C, V
A
= 12V, Ra = 6
, Ig
= 1A
I
L
Typical latching current
1000
mA
Parameter
IRK.F112..
Units Conditions
On-state Conduction
Frequency f
Units
50Hz
220
220
350
550
2060
2900
A
400Hz
285
285
425
695
1230
1785
A
2500Hz
205
205
350
550
460
552
A
5000Hz
10000Hz
175
125
170
120
295
230
448
337
295
-
448
-
A
A
Recovery voltage Vr
50
50
50
50
50
50
V
Voltage before turn-on Vd
80% V
DRM
80% V
DRM
80% V
DRM
V
Rise of on-state current di/dt
50
50
-
-
-
-
A/μs
Case temperature
90
60
90
47
/ 0.22 μF
60
90
47
/ 0.22 μF
60
°C
Equivalent values for RC circuit
47
/ 0.22 μF
I
TM
I
TM
180
o
el
100μs
I
TM
180
o
el
Current Carrying Capacity
IRK.F112.. Series
30
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PDF描述
IRKTF112-04HNN FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
IRKTF111-08HNN FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
IRKTF112-08HNN FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
IRKHF132-08HL INT-A-pak Power Modules(可控硅/二极管H结构INT-A-pak功率模块)
IRKTF131-08HLN FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
IRKTF132-08HL 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述:
IRKTF180-08HK 功能描述:SCR模块 800 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF180-12HJ 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF180-12HK 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF200-08HJ 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
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