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参数资料
| 型号： | IRKTF111-04HNN |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| 中文描述： | 快速晶闸管/二极管和晶闸管/晶闸管 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | IRKTF111-04HNN |
IRK.F112.. Series
6
Bulletin I27091 rev. A 09/97
www.irf.com
Fig. 7 - On-state Voltage Drop Characteristics
Fig. 8 - Thermal Impedance Z
thJC
Characteristic
Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 4 - On-state Power Loss Characteristics
Fig. 3 - On-state Power Loss Characteristics
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
20
40
60
80
100
120
RMS Limit
C onduc tion Angle
M
Average On-state C urrent (A)
180
°
120°
90°
60°
30°
IRK.F112.. Series
Per J unc tion
T = 125
°C
0
40
80
120
160
200
240
280
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
DC
180
°
120°
90°
60°
30°
RMS Limit
C onduction Period
M
Avera ge On-state C urrent (A)
IRK.F112.. Series
Per Junction
T = 125
°C
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
1
10
100
Number Of Equa l Amplitude Half C ycle Current Pulses (N)
P
IRK.F112.. Series
Per J unction
Initial T = 125
°C
@ 60 Hz 0.0083 s
@ 50 Hz 0.0100 s
At Any Rated Loa d C ondition And With
Ra ted V Applied Following Surge.
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
3200
0.01
0.1
1
P
Pulse Train Duration (s)
Versus Pulse Train Duration. Control
Of Conduction May Not Be Maintained.
IRK.F112.. Series
Per J unction
Initial T = 125
°C
No Voltage Reapplied
Rated V Reapplied
Ma ximum Non Repetitive Surge C urrent
10
100
1000
10000
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T = 25
°C
I
Instantaneous On-state Volta ge (V)
IRK.F112.. Series
Per J unction
T = 125°C
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Square Wave Pulse Duration (s)
t
T
Steady State Value
R = 0.17 K/W
(DC Operation)
IRK.F112.. Series
Per Junction
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRKTF112-04HNN | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| IRKTF111-08HNN | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| IRKTF112-08HNN | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| IRKHF132-08HL | INT-A-pak Power Modules(可控硅/二极管H结构INT-A-pak功率模块) |
| IRKTF131-08HLN | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRKTF132-08HL | 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述: |
| IRKTF180-08HK | 功能描述:SCR模块 800 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF180-12HJ | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF180-12HK | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF200-08HJ | 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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