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参数资料
| 型号： | IRKTF131-04HLN |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| 中文描述： | 快速晶闸管/二极管和晶闸管/晶闸管 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | IRKTF131-04HLN |
IRK.F132.. Series
4
Bulletin I27092 rev. A 09/97
www.irf.com
R
thJC
Conduction
(The following table shows the increment of thermal resistance R
thJC
when devices operate at different conduction angles than DC)
Conduction angle
Sinusoidal conduction Rectangular conduction
Units
Conditions
180°
0.016
0.011
K/W
T
J
= 125°C
120°
0.019
0.020
90°
0.024
0.026
60°
0.035
0.037
30°
0.060
0.060
IRK
T
F
13
2
-
08
H
L
N
1
2
3
1
- Module type
2
- Circuit configuration
3
- Fast SCR
4
- Current rating: I
T(AV)
x 10 rounded
5
- 1 =
option with spacers and longer terminal screws
2 =
option with standard terminal screws
6
- Voltage code: Code x 100 = V
RRM
(See Voltage Ratings Table)
7
- dv/dt code: H
≤
400V/μs
8
- t
q
code: L
≤
15μs
- None = Standard devices
N
= Aluminum nitrade substrate
9
4
Device Code
Ordering Information Table
5
6
7
8
8
NOTE: To order the Optional Hardware see Bulletin I27900
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRKTF132-04HLN | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| IRKHF180-08HJ | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,8V,快速可控硅/二极管H结构MAGN-A-pak功率模块) |
| IRKHF180-04HJ | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,4V,快速可控硅/二极管H结构MAGN-A-pak功率模块) |
| IRKHF180-04HK | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,4V,快速可控硅/二极管H结构MAGN-A-pak功率模块) |
| IRKLF180-04HJ | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,4V,快速可控硅/可控硅L结构MAGN-A-pak功率模块) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRKTF132-08HL | 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述: |
| IRKTF180-08HK | 功能描述:SCR模块 800 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF180-12HJ | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF180-12HK | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF200-08HJ | 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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