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参数资料
型号： IRKTF131-04HLN
厂商： International Rectifier
英文描述： FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
中文描述： 快速晶闸管/二极管和晶闸管/晶闸管
文件页数： 6/8页
文件大小： 137K
代理商： IRKTF131-04HLN
IRK.F132.. Series
6
Bulletin I27092 rev. A 09/97
www.irf.com
Fig. 7 - On-state Voltage Drop Characteristics
Fig. 8 - Thermal Impedance Z
thJC
Characteristic
Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 4 - On-state Power Loss Characteristics
Fig. 3 - On-state Power Loss Characteristics
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
20
40
60
80
100
120
140
RMS Limit
C onduc tion Angle
M
Average On-state C urrent (A)
180
°
120°
90°
60°
30°
IRK.F132.. Series
Per J unc tion
T = 125
°C
0
50
100
150
200
250
300
0
40
80
120
160
200
240
DC
180
°
120°
90°
60°
30°
RMS Limit
C onduc tion Period
M
Average On-state C urrent (A)
IRK.F132.. Series
Per Junc tion
T = 125
°C
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
1
10
100
Number Of Equal Amplitude Ha lf C yc le C urre nt Pulses (N)
At Any Rated Load Condition And With
Ra ted V Applied Following Surge.
P
IRK.F132.. Series
Per J unc tion
Initial T = 125
°C
@ 60 Hz 0.0083 s
@ 50 Hz 0.0100 s
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
3200
0.01
0.1
1
P
Pulse Train Duration (s)
Maximum Non Repetitive Surge C urrent
Versus Pulse Train Duration. Control
Of Conduction May Not Be Ma intained.
IRK.F132.. Series
Per J unction
Initial T = 125
°C
No Voltage Reapplied
Rated V Reapplied
10
100
1000
10000
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
T = 25
°C
I
Instantaneous On-sta te Voltag e (V)
IRK.F132.. Series
Per J unction
T = 125°C
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Square Wave Pulse Duration (s)
t
T
IRK.F132.. Series
Per Junction
Steady State Value
R = 0.17 K/W
(DC Operation)
相关PDF资料
PDF描述
IRKTF132-04HLN FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
IRKHF180-08HJ 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,8V,快速可控硅/二极管H结构MAGN-A-pak功率模块)
IRKHF180-04HJ 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,4V,快速可控硅/二极管H结构MAGN-A-pak功率模块)
IRKHF180-04HK 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,4V,快速可控硅/二极管H结构MAGN-A-pak功率模块)
IRKLF180-04HJ 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,4V,快速可控硅/可控硅L结构MAGN-A-pak功率模块)
相关代理商/技术参数
参数描述
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IRKTF180-12HJ 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF180-12HK 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF200-08HJ 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
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