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参数资料
型号： IRKTF180-08HK
元件分类： 晶闸管
英文描述： 400 A, 800 V, SCR
封装： MAGN-A-PAK-7
文件页数： 2/8页
文件大小： 227K
代理商： IRKTF180-08HK
IRK.F180.. Series
2
Bulletin I27100 rev.
C 03/01
www.irf.com
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
Voltage
V
RRM
/V
DRM
, maximum repetitive
V
RSM
, maximum non-
I
RRM
/I
DRM
max.
Type number
Code
peak reverse voltage
repetitive peak rev. voltage
@ T
J
= 125°C
VV
mA
08
800
12
1200
I
T(AV)
Maximum average on-state current
180
A
180° conduction, half sine wave
@ Case temperature
85
°C
I
T(RMS)
Maximum RMS current
400
A
as AC switch
I
TSM
Maximum peak, one-cycle,
7130
A
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
7470
t = 8.3ms
reapplied
6000
t = 10ms
100% V
RRM
6280
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal half wave,
I2t
Maximum I2t for fusing
255
KA2s
t = 10ms
No voltage
Initial T
J = 125°C
232
t = 8.3ms
reapplied
180
t = 10ms
100% V
RRM
164
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
2550
KA2
√s t = 0 to 10ms, no voltage reapplied
VT(TO)1 Low level value of threshold voltage
1.30
V
(16.7% x
π x I
T(AV) < I < π x I T(AV)), TJ = TJ max.
VT(TO)2 High level value of threshold voltage
1.38
(I >
π x I
T(AV) ), TJ = TJ max.
rt1
Low level value of on-state slope resistance
0.90
mW
(16.7% x
π x I
T(AV) < I < π x I T(AV)), TJ = TJ max.
rt2
High level value of on-state slope resistance
0.71
(I >
π x I
T(AV) ), TJ = TJ max.
V
TM
Maximum on-state voltage drop
1.84
V
I
pk
= 600A, T
J = TJ max., tp
= 10ms sine pulse
I
H
Maximum holding current
600
mA
T
J = 25°C, IT > 30 A
I
L
Typical latching current
1000
mA
T
J
= 25°C, V
A
= 12V, Ra = 6
, Ig = 1A
Parameter
IRK.F180..
Units Conditions
On-state Conduction
Frequency f
Units
50Hz
370
530
565
800
2400
3150
A
400Hz
435
650
670
1000
1540
2050
A
2500Hz
290
430
490
720
610
830
A
5000Hz
240
345
390
540
390
540
A
10000Hz
170
270
290
390
-
A
Recovery voltage Vr
50
V
Voltage before turn-on Vd
80%V
DRM
80%V
DRM
80%V
DRM
V
Rise of on-state current di/dt
50
-
A/
s
Case temperature
85
60
85
60
85
60
°C
Equivalent values for RC circuit
10
/0.47F10/0.47F10/0.47F
I
TM
I
TM
180oel
100s
I
TM
180oel
Current Carrying Capacity
IRK.F180-
50
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PDF描述
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IRKTF180-12HK 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF200-08HJ 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF200-08HK 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
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