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参数资料
| 型号： | IRKTF180-08HK |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 400 A, 800 V, SCR |
| 封装： | MAGN-A-PAK-7 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 227K |
| 代理商： | IRKTF180-08HK |
IRK.F180.. Series
6
Bulletin I27100 rev. C 03/01
www.irf.com
Fig. 3 - On-state Power Loss Characteristics
Fig. 4 - On-state Power Loss Characteristics
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 7 - On-state Voltage Drop Characteristics
Fig. 8 - Thermal Impedance Z
thJC Characteristics
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RM S Lim it
Cond uc tio n An g le
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IRK.F1 80 .. Series
Per Ju n ctio n
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= 1 25 C
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A verag e O n -sta te C urre n t (A )
IRK.F18 0.. Series
Per Junctio n
T
= 12 5 C
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3500
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Nu m b er O f E q u a l Am plitu d e Half C yc le C u r re nt Pu lse s (N )
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IRK.F18 0.. S eries
Pe r Jun ctio n
In itial T = 125 C
@ 60 H z 0.0083 s
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Ra te d V
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M a ximum No n Rep etitiv e Surg e C urrent
V ers us P ulse Tra in D ura tio n . C ontro l
O f C o nd uction May Not Be Mainta ined .
IRK.F180.. Series
Pe r Jun ctio n
In itial T = 125 C
N o Vo ltag e R e ap plie d
Ra te d V
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T = 12 5 C
J
IR K.F1 80.. Series
Per Ju n ctio n
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IRK.F180 .. Series
Per Junctio n
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/W
)
thJ C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRKTF200-08HK | 444 A, 800 V, SCR |
| IRKTF102-12DK | 164.85 A, 1200 V, SCR |
| IRKTF180-12DK | 282.6 A, 1200 V, SCR |
| IRKTF200-12DK | 314 A, 1200 V, SCR |
| IRKTF180-04DK | 282.6 A, 400 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRKTF180-12HJ | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF180-12HK | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF200-08HJ | 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF200-08HK | 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF200-12HJ | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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