参数资料
型号: IRKTF180-12HJPBF
元件分类: 晶闸管
英文描述: 400 A, 1200 V, SCR
封装: MAGN-A-PAK-7
文件页数: 7/8页
文件大小: 227K
代理商: IRKTF180-12HJPBF
IRK.F180.. Series
7
Bulletin I27100 rev. C 03/01
www.irf.com
Fig. 9 - Reverse Recovery Charge Characteristics
Fig. 10 - Reverse Recovery Current Characteristics
Fig. 11 - Frequency Characteristics
Fig. 12 - Frequency Characteristics
20
40
60
80
100
120
140
160
180
10
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90 100
5 00A
3 00A
2 00A
1 00A
M
a
x
im
u
m
R
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C
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n
t-
I
rr
(
A
)
R ate O f F all O f Fo rw ard C urre n t - di/dt (A / s)
IR K .F180.. Se rie s
T = 125 C
I
= 1000A
J
TM
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-
Q
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(
C
)
Ra te O f Fa ll O f Fo rw a rd C urre n t - d i/d t (A / s)
IRK.F 180.. Se rie s
T = 125 C
I
= 1 000 A
J
TM
1E1
1E2
1E3
1E4
1E11E2
1E31E4
50 H z
40 0
10 00
5000
150
250 0
Snub b e r circuit
R = 10 ohm s
C = 0.47 F
V
= 80% V
P
e
a
k
O
n
-s
ta
te
C
u
rr
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n
t(
A
)
Pu lse Base w id th ( s)
tp
1E4
IRK .F180.. Serie s
DR M
s
D
Tra p ezo id a l p ulse
T
= 8 5 C d i/d t 50A / s
C
E1
1E2
1E3
1E4
50 H z
400
10 00
500 0
150
250 0
Snub b er circuit
R = 10 ohm s
C = 0.47 F
V = 80% V
Pu lse Base w idth ( s)
tp
1E1
DRM
s
D
IRK .F180.. Series
Tra p ezoid a l p ulse
T
= 85 C d i/d t 100A / s
C
1E1
1E2
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1E1
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1E3
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50 H z
400
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P
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C
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n
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(A
)
Pu lse Ba sew id th ( s)
Snub b er c ircuit
R = 10 ohm s
C = 0.47 F
V
= 80% V
tp
1E4
Sinuso id a l p ulse
DR M
s
D
IRK .F1 80.. Se rie s
T = 85 C
C
1E1
1E2
1E3
1E4
50 H z
40 0
1000
500 0
15 0
250 0
Pu lse Ba sew id th ( s)
IRK .F 180.. Serie s
Sinusoid a l pulse
T = 60 C
Snub b e r c irc uit
R = 10 ohm s
C = 0.47
F
V
= 80% V
1E1
tp
C
DRM
s
D
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
IRKTF180-12HK 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF200-08HJ 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF200-08HK 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF200-12HJ 功能描述:SCR模块 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF200-12HK 功能描述:SCR模块 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK