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参数资料
| 型号： | IRKTF180-12HJPBF |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 400 A, 1200 V, SCR |
| 封装： | MAGN-A-PAK-7 |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 227K |
| 代理商： | IRKTF180-12HJPBF |
IRK.F180.. Series
8
Bulletin I27100 rev. C 03/01
www.irf.com
Fig. 13 - Frequency Characteristics
Fig. 14 - Maximum On-state Energy Power Loss Characteristics
Fig. 15 - Gate Characteristics
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 H z
40 0
1000
5000
150
250 0
P
e
a
k
O
n
-s
ta
te
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Pulse Basewidth ( s)
Snub b er circuit
R = 10 ohm s
C = 0.47 F
V
= 80% V
tp
1E4
IRK .F1 80.. Se rie s
Tra p e zoid a l p ulse
T
= 60 C d i/d t 50A / s
C
s
D
DR M
E1
1E2
1E3
1E4
50 H z
400
100 0
5000
15 0
250 0
Pu lse Ba se w idth ( s)
IRK .F 180.. Se ries
Tra p ezoid a l p ulse
T
= 60 C d i/d t 100A / s
Snub b e r circuit
R = 10 ohm s
C = 0.47
F
V
= 80% V
1E1
tp
DR M
C
s
D
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
VGD
IG D
(b )
(a )
Tj
=
2
5
C
Tj
=
1
2
5
C
Tj
=
-4
0
C
(2)
(3)
In stan tan eo us G ate C urre n t (A)
In
st
a
n
ta
n
e
o
u
sG
a
te
V
o
lt
a
g
e
(V
)
a) R e c o m m e n d e d lo ad lin e fo r
b ) R e c o m m e n d e d lo a d lin e fo r
Recta n g u lar g a te p u lse
ra te d d i/d t : 1 0V , 1 0o h m s
< = 3 0% ra te d di/d t : 1 0V , 20 o h m s
(1) P G M = 8W , t p = 25m s
(2) P G M = 20W , t p = 1m s
(3) P G M = 40W , t p = 5m s
(4) PG M = 80W , t p = 2.5m s
IRK .F180.. Serie s
Fre que n cy Lim ite d by PG (A V)
(1)
(4)
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
10 jou les per pu lse
5
2.5
1
0.5
0.2 5
0.1
0.05
IRK.F 180.. Series
Sinuso id a l p ulse
P
e
a
k
O
n
-s
ta
te
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Pu lse Base w id th ( s)
tp
1E4
E1
1E2
1E3
1E4
10 jou les per pulse
5
2.5
1
0.5
0.25
0.1
0.0 5
Pu lse Ba se w idth ( s)
IRK.F180.. Series
Tra p ezo id a l p uls e
di/d t 50 A / s
tp
1E1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRKTF180-12HJNPBF | 400 A, 1200 V, SCR |
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| IRKTF180-12HPPBF | 282.6 A, 1200 V, SCR |
| IRKTF180-12HPNPBF | 282.6 A, 1200 V, SCR |
| IRKTF180-12JPBF | 400 A, 1200 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRKTF180-12HK | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF200-08HJ | 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF200-08HK | 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF200-12HJ | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF200-12HK | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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