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参数资料
| 型号： | IRL1004 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 78A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5330pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRL1004 |
IRL1004
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
40
––– ––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.04 –––
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
?
25 ––– R G = 2.5 ? , V GS = 4.5V
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
–––
–––
1.0
63
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 0.0065 V GS = 10V, I D = 78A ?
––– 0.009 V GS = 4.5V, I D = 65A ?
––– ––– V V DS = V GS , I D = 250μA
––– ––– S V DS = 25V, I D = 78A
––– 25 V DS = 40V, V GS = 0V
μA
––– 250 V DS = 32V, V GS = 0V, T J = 150°C
––– 100 V GS = 16V
nA
––– -100 V GS = -16V
––– 100 I D = 78A
––– 32 nC V DS = 32V
––– 43 V GS = 4.5V, See Fig. 6 and 13 ?
16 ––– V DD = 20V
210 ––– I D = 78A
ns
14 ––– R D = 0.18 ? , See Fig. 10 ?
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
–––
4.5 –––
7.5 –––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
5330 ––– V GS = 0V
1480 ––– pF V DS = 25V
320 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– ––– 130 ?
––– ––– 520
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
t on
Notes:
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 78A, V GS = 0V ?
––– 78 120 ns T J = 25°C, I F = 78A
––– 180 270 nC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. (See fig. 11)
? Starting T J = 25°C, L =0.23mH
R G = 25 ? , I AS = 78A. (See Figure 12)
? I SD ≤ 78A, di/dt ≤ 370A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
2
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%
? Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature; for recommended current-handling of the
package refer to Design Tip #93-4
www.irf.com
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