- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录447 > IRL1004 (International Rectifier)MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRL1004 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 78A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5330pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRL1004 |
IRL1004
V DS
L
D.U.T.
1800
TOP
I D
32A
R G
+
1500
BOTTOM
55A
78A
-
V DD
4.5 V
t p
I AS
0.01 ?
1200
900
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
600
300
V (BR)DSS
t p
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J , Junction Temperature ( C)
V DS
V DD
°
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
- DS
4.5 V
Q GS
Q G
Q GD
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
V G
V GS
3mA
Charge
I G
I D
Current Sampling Resistors
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
6
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL1104STRLPBF | MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK |
| IRL1104STRR | MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK |
| IRL1104 | MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB |
| IRL2203NSTRR | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK |
| IRL2203N | MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL1004HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRL1004L | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 130A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL1004LPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 110A 6.5mOhm 66.7nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL1004PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 130A 66.7nC 6.5mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL1004S | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。