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参数资料
| 型号： | IRL1104SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 104A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 62A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 68nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3445pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRL1104SPBF |
IRL1104S/LPbF
6000
5000
4000
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
10
8
6
I D = 62 A
V DS = 32V
V DS = 20V
3000
4
2000
Coss
1000
Crss
2
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
0
0
SEE FIGURE 13
20 40 60
Q G , Total Gate Charge (nC)
80
1000
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
10000
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
T J = 175 ° C
1000
10us
10
1
T J = 25 ° C
100
10
100us
1ms
10ms
0.1
0.2
0.8
1.4
V GS = 0 V
2.0
2.6
1
1
T C = 25 °C
T J = 175 °C
Single Pulse
10
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3296X-1-201 | TRIMMER 200 OHM 0.5W TH |
| CKM13ETW01-018 | SWITCH KEYLOCK 16MM KEYCODE 018 |
| LB15SKW01-1D-A | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V |
| MB2061SB1W01-6C-A | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 6A 125V |
| IRFS17N20DPBF | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL1104STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL1104STRLPBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL1104STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL119F10 | 制造商:Amphenol PCD 功能描述:DIN-RAIL INTERFACE MODULE PRODUCT -SEE CATALOG - Bulk |
| IRL119F20 | 制造商:Amphenol PCD 功能描述:DIN-RAIL INTERFACE MODULE PRODUCT -SEE CATALOG - Bulk |
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