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参数资料
| 型号： | IRFS17N20DPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 9.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFS17N20DPBF |
PD- 95325
IRFB17N20DPbF
SMPS MOSFET
IRFS17N20DPbF
IRFSL17N20DPbF
HEXFET ? Power MOSFET
Applications
l High frequency DC-DC converters
l Lead-Free
V DSS
200V
R DS(on) max
0.17 ?
I D
16A
Benefits
l
l
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C OSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRFB17N20D
D 2 Pak
IRFS17N20D
TO-262
IRFSL17N20D
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
16
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T C = 25°C
V GS
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ?
12
64
3.8
140
0.90
± 30
2.7
A
W
W/°C
V
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw ?
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf?in (1.1N?m)
°C
Typical SMPS Topologies
l
Telecom 48V input Forward Converter
Notes ?
through ?
are on page 11
www.irf.com
1
6/1/04
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PDF描述 |
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参数描述 |
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