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参数资料
| 型号： | IRFS17N20DPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 9.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFS17N20DPBF |
IRFB/IRFS/IRFSL17N20DPbF
TO-262 Package Outline
IGBT
1- GATE
2- COLLECTOR
3- EMITTER
TO-262 Part Marking Information
EXAMPLE: T HIS IS AN IRL3103L
LOT CODE 1789
AS SEMBLED ON WW 19, 1997
IN T HE ASS EMBLY LINE "C"
Note: "P" in as s embly line
pos ition indicates "Lead-Free"
OR
INT ERNAT IONAL
RECT IFIER
LOGO
ASS EMBLY
LOT CODE
PART NUMBER
DAT E CODE
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
LINE C
INT ERNAT IONAL
PART NUMBER
RECT IFIER
LOGO
DAT E CODE
10
AS S EMBLY
LOT CODE
P = DES IGNAT ES LEAD-FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
A = AS S EMBLY S ITE CODE
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LB15WKW01-12-GJ | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V |
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| IRL3102SPBF | MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRFS17N20DTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IRFS17N20DTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFS17N20DTRRP | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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