- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17653 > IRFS17N20DPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFS17N20DPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 9.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFS17N20DPBF |
IRFB/IRFS/IRFSL17N20DPbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
200
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.25
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.17
?
V GS = 10V, I D = 9.8A
?
μA
100 V GS = 30V
V GS(th)
I DSS
I GSS
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.5 V V DS = V GS , I D = 250μA
25 V DS = 200V, V GS = 0V
250 V DS = 160V, V GS = 0V, T J = 150°C
nA
-100 V GS = -30V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
––– I D = 9.8A
g fs
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
5.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
33
8.4
16
11
19
18
––– S V DS = 50V, I D = 9.8A
50 I D = 9.8A
13 nC V DS = 160V
24 V GS = 10V, ??
––– V DD = 100V
ns
––– R G = 5.1 ?
t f
Fall Time
–––
6.6
––– V GS = 10V
?
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
1100
190
44
1340
76
––– V GS = 0V
––– V DS = 25V
––– pF ? = 1.0MHz ?
––– V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 160V, ? = 1.0MHz
C oss eff. Effective Output Capacitance
Avalanche Characteristics
–––
130
––– V GS = 0V, V DS = 0V to 160V ?
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy ??
Avalanche Current ?
Repetitive Avalanche Energy ?
–––
–––
–––
240
9.8
14
mJ
A
mJ
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
1.1
R θ CS
R θ JA
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface ?
Junction-to-Ambient ?
0.50
–––
–––
62
°C/W
R θ JA Junction-to-Ambient ?
Diode Characteristics
Parameter
–––
Min. Typ. Max. Units
40
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
––– –––
––– –––
16
64
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
Diode Forward Voltage
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 9.8A, V GS = 0V
?
t rr
Q rr
t on
2
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
––– 160 240 ns T J = 25°C, I F = 9.8A
––– 900 1350 nC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LB15WKW01-12-GJ | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V |
| IRL3303SPBF | MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK |
| YB25RKG01-JB | SWITCH PUSH DPDT 0.4VA 28V |
| IRL3102SPBF | MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK |
| SDMG0340LA-7-F | DIODE SCHOTTKY 40V 200MW SC70-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFS17N20DTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFS17N20DTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRFS17N20DTRLP | 功能描述:MOSFET 200V SINGLE N-CH 170mOhms 33nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS17N20DTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFS17N20DTRRP | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。