参数资料
型号: IRL1104STRLPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 4/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 104A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8 毫欧 @ 62A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 68nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3445pF @ 25V
功率 - 最大: 2.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRL1104S/LPbF
6000
5000
4000
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
10
8
6
I D = 62 A
V DS = 32V
V DS = 20V
3000
4
2000
Coss
1000
Crss
2
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
0
0
SEE FIGURE 13
20         40         60
Q G , Total Gate Charge (nC)
80
1000
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
10000
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
T J = 175 ° C
1000
10us
10
1
T J = 25 ° C
100
10
100us
1ms
10ms
0.1
0.2
0.8
1.4
V GS = 0 V
2.0
2.6
1
1
T C = 25 °C
T J = 175 °C
Single Pulse
10
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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PDF描述
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参数描述
IRL1104STRR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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