参数资料
型号: IRL1104STRLPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 8/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 104A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8 毫欧 @ 62A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 68nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3445pF @ 25V
功率 - 最大: 2.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRL1104S/LPbF
D 2 Pak Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
D 2 Pak Part Marking Information
T H IS IS AN IR F 530S WIT H
L OT CODE 8024
AS S E MB L E D ON WW 02, 2000
IN T H E AS S E MB L Y L INE "L"
Note: "P " in as s embly line
pos ition indicates "Lead-F ree"
INT E R NAT IONAL
R E CT IF IE R
LOGO
AS S E MB L Y
L OT CODE
F 530S
P AR T NU MB E R
DAT E CODE
YE AR 0 = 2000
WE E K 02
8
OR
INT E R NAT IONAL
R E CT IF IE R
L OGO
AS S E MB L Y
LOT CODE
F 530S
PAR T NU MB E R
DAT E CODE
P = DE S IGNAT E S L E AD-F R E E
PRODU CT (OPT IONAL)
YE AR 0 = 2000
WE E K 02
A = AS S E MB LY S IT E CODE
L INE L
www.irf.com
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PDF描述
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参数描述
IRL1104STRR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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