参数资料
型号: IRL2203NL
厂商: International Rectifier
文件页数: 7/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 116A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7 毫欧 @ 60A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: TO-262
包装: 管件
其它名称: *IRL2203NL
IRL2203NS/L
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T *
+
?
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
+
?
-
-
?
+
?
V GS
R G
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by Duty Factor "D"
? D.U.T. - Device Under Test
+
-
V DD
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
[ V GS =10V ] ***
D.U.T. I SD Waveform
Reverse
Recovery
Body Diode Forward
Current
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
Re-Applied
dv/dt
[ V DD ]
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Ripple  ≤  5%
Forward Drop
[ I SD ]
*** V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14. For N-channel HEXFET ? power MOSFETs
www.irf.com
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