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参数资料
| 型号： | IRL2703STRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 45W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL2703SPbF
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+
+
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
-
+
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by Duty Factor "D"
? D.U.T. - Device Under Test
* Reverse Polarity for P-Channel
** Use P-Channel Driver for P-Channel Measurements
+
-
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
V GS =10V
D.U.T. I SD Waveform
Reverse
Recovery
Body Diode Forward
Current
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
Re-Applied
dv/dt
V DD
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Ripple ≤ 5%
Forward Drop
I SD
*** V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig14 For N Channel HEXFETS
www.irf.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL2703STRR | MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK |
| IRL3102STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK |
| IRL3102STRR | MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK |
| IRL3103D1SPBF | MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5 |
| IRL3103D1STRLP | MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL2703STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL2910 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
| IRL2910HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRL2910L | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 55A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL2910LPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 100V, 55A, 26 MOHM, 93.3 NC QG, LOGIC LEVEL, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 55A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N |
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