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参数资料
| 型号： | IRL3103D1S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 64A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 34A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRL3103D1S |
PD- 9.1558A
IRL3103D1S
FETKY TM MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIER
l
l
l
l
Co-packaged HEXFET ? Power MOSFET
and Schottky Diode
Generation 5 Technology
Logic Level Gate Drive
Minimize Circuit Inductance
D
V DSS = 30V
R DS(on) = 0.014 ?
l
Ideal For Synchronous Regulator Application
G
I D = 64A
S
Description
The FETKY family of co-packaged HEXFET power
MOSFETs and Schottky Diodes offer the designer an
innovative board space saving solution for switching
regulator applications. A low on resistance Gen 5 MOSFET
with a low forward voltage drop Schottky diode and
minimized component interconnect inductance and
resistance result in maximized converter efficiencies.
The D 2 Pak is a surface mount power package capable of
D Pak
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the
highest power capability and the lowest possible on-
resistance in any existing surface mount package. The
D 2 Pak is suitable for high current applications because
of its low internal connection resistance and can dissipate
up to 2.0W in a typical surface mount application.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
2
Max.
T O -26 2
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V ?
64
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T C = 25°C
V GS
Continuous Drain Current, V GS @ 10V ?
Pulsed Drain Current ??
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
45
220
3.1
89
0.56
± 16
A
W
W
W/°C
V
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
1.4
R θ JA
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**
–––
40
°C/W
4/2/98
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F930J685MAA | CAP TANT 6.8UF 6.3V 20% 1206 |
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| IRFZ44ES | MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK |
| F931C475KAA | CAP TANT 4.7UF 16V 10% 1206 |
| IRF3415S | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3103D1SPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3103D1STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3103D1STRLP | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3103D1STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3103D2 | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 54A TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D |
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