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参数资料
| 型号： | IRL3103D1S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 64A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 34A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRL3103D1S |
IRL3103D1S
1000
TOP
VGS
15V
1000
TOP
VGS
15V
100
10
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
2.5V
100
10
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
2.5V
2 0μ s P U LS E W ID TH
20μs PULSE WIDTH
1
0.1
1
T J = 2 5°C
10
A
100
1
0.1
1
T J = 150°C
10
A
100
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
30
TOP
VGS B
10V
30
TOP
VGS
10V
20
10
8.0V
6.0V
4.0V
2.0V
BOTTOM 0.0V
20
10
8.0V
6.0V
4.0V
2.0V
BOTTOM 0.0V
0.0V
0.0V
20μs PULSE WIDTH
20μs PULSE WIDTH
0
T J = 25°C
A
0
T J = 150°C
A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V S D , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 3. Typical Reverse Output Characteristics
V S D , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 4. Typical Reverse Output Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F930J685MAA | CAP TANT 6.8UF 6.3V 20% 1206 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3103D1SPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3103D1STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3103D1STRLP | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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| IRL3103D2 | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 54A TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D |
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