参数资料
型号: IRL3202S
厂商: International Rectifier
英文描述: N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管)
中文描述: N沟道HEXFET功率MOSFET的(不适用沟道的HEXFET功率马鞍山场效应管)
文件页数: 5/8页
文件大小: 125K
代理商: IRL3202S
IRL3202S
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
I
D
Fig 10.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
13A
18A
29A
TOP
BOTTOM
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PDF描述
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IRL3402S N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管)
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