型号: | IRL3402 |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | N Channel HEXFET Power MOSFET(N 沟道HEXFET功率MOS场效应管) |
中文描述: | ?通道HEXFET功率MOSFET的(不适用沟道的HEXFET功率马鞍山场效应管) |
文件页数: | 4/7页 |
文件大小: | 98K |
代理商: | IRL3402 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRL3705N | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
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IRL3713S | SMPS MOSFET |
IRL3714 | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=20mohm, Id=36A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRL3402HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 85A 3PIN TO-220AB - Bulk |
IRL3402L | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 85A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRL3402PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 52nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRL3402S | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRL3402SPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |