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参数资料
| 型号： | IRL3402 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | N Channel HEXFET Power MOSFET(N 沟道HEXFET功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | ?通道HEXFET功率MOSFET的（不适用沟道的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | IRL3402 |
IRL3402
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
2
3
4
5
6
7
8
0.006
0.007
0.008
0.009
0.010
0.011
0.012
R
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
ID = 85A
0
50
100
I , Drain Current (A)
150
200
250
300
350
0.005
0.010
0.015
0.020
R
D
VGS = 7.0V
VGS = 4.5V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3705N | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| IRL3713 | SMPS MOSFET |
| IRL3713L | SMPS MOSFET |
| IRL3713S | SMPS MOSFET |
| IRL3714 | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=20mohm, Id=36A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRL3402PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 52nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3402S | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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