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参数资料
| 型号： | IRL3502S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 64A，7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4700pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRL3502S |
IRL3502S
120
LIMITED BY PACKAGE
800
TOP
I D
29A
100
80
600
BOTTOM
40A
64A
60
400
40
200
20
0
25
50 75 100 125
T C , Case Temperature ( ° C)
150
0
25
50 75 100 125
Starting T J , Junction Temperature ( ° C)
150
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
1
D = 0.50
0.20
Fig 10. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
0.1
0.10
0.05
P DM
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44NS | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK |
| AT3075F | CAP BEVELED GREEN FOR ILLUM UB2 |
| 3214G-1-200E | TRIMMER 20 OHM 0.25W SMD |
| IRF7421D1 | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
| AT3074JF | CAP SCULPTURED CLR/GRN ILLUM UB2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3502SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRL3502SPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 73.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3502STRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRL3502STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3502STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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