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参数资料
| 型号： | IRL3502STRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 64A，7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4700pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD - 95126
IRL3502SPbF
HEXFET ? Power MOSFET
D Pak
l AdvancedProcessTechnology
l Surface Mount
l Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive
l Ideal for CPU Core DC-DC Converters
l Fast Switching
l Lead-Free
Description
These HEXFET Power MOSFETs were designed
specifically to meet the demands of CPU core DC-DC
converters in the PC environment. Advanced
processing techniques combined with an optimized
gate oxide design results in a die sized specifically to
offer maximum efficiency at minimum cost.
The D 2 Pak is a surface mount power package capable
of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the
highest power capability and the lowest possible on-
resistance in any existing surface mount package. The
D 2 Pak is suitable for high current applications because
of its low internal connection resistance and can
dissipate up to 2.0W in a typical surface mount
application.
G
D
S
2
V DSS = 20V
R DS(on) = 0.007 ?
I D = 110A ?
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
V GS
V GSM
Continuous Drain Current, V GS @ 4.5V ?
Continuous Drain Current, V GS @ 4.5V ?
Pulsed Drain Current ??
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
110 ?
67
420
140
1.1
± 10
14
A
W
W/°C
V
V
(Start Up Transient, tp = 100μs)
E AS
I AR
E AR
dv/dt
T J
T STG
Single Pulse Avalanche Energy ??
Avalanche Current ?
Repetitive Avalanche Energy ?
Peak Diode Recovery dv/dt ??
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
390
64
14
5.0
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
mJ
A
mJ
V/ns
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
???
0.89
R θ JA
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**
???
40
°C/W
3/18/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3707PBF | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK |
| B32652A4224J | CAP FILM 0.22UF 400VDC RADIAL |
| B32652A7103J | CAP FILM 10000PF 1.25KVDC RADIAL |
| IRFR3706PBF | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK |
| B32522Q8104J | CAP FILM 0.1UF 630VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3705 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220AB |
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| IRL3705NL | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 89A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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