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参数资料
| 型号： | IRL3502STRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 64A，7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4700pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL3502SPbF
120
100
LIMITED BY PACKAG E
800
600
TOP
BOTTOM
I D
29A
40A
64A
80
60
400
40
200
20
Starting T J , Junction Temperature ( C)
0
25
50 75 100 125
T C , Case Temperature ( ° C)
150
0
25
50 75 100 125
°
150
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
1
D = 0.50
0.20
Fig 10. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
0.1
0.10
0.05
P DM
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3707PBF | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK |
| B32652A4224J | CAP FILM 0.22UF 400VDC RADIAL |
| B32652A7103J | CAP FILM 10000PF 1.25KVDC RADIAL |
| IRFR3706PBF | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK |
| B32522Q8104J | CAP FILM 0.1UF 630VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3705 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220AB |
| IRL3705N | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
| IRL3705N/L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRL3705NL | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 89A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3705NLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 89A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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