参数资料
型号: IRL3705NSTRR
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 89A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10 毫欧 @ 46A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 98nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3600pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRL3705NS/L
1000
100
10
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
1000
100
10
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
2 .5V
2.5V
2 0μ s P U LS E W ID T H
2 0μ s P U LS E W ID TH
1
0.1
1
T J = 2 5°C
10
A
100
1
0.1
1
T J = 1 75 °C
10
A
100
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
T J = 2 5 °C
3.0
2.5
I D = 7 7A
100
10
T J = 1 7 5 °C
2.0
1.5
1.0
0.5
V D S = 2 5 V
1
2.0
3.0
4.0
5.0
2 0 μ s P U L S E W ID T H
6.0 7.0
8.0
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V G S = 10 V
A
100 120 140 160 180
V G S , G a te -to -S o u rc e V o lta g e (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
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