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参数资料
| 型号： | IRL3715STRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 54A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD - 95380
IRL3715PbF
Applications
l High Frequency Isolated DC-DC
SMPS MOSFET
IRL3715SPbF
IRL3715LPbF
HEXFET ? Power MOSFET
Converters with Synchronous Rectification
V DSS
R DS(on) max
I D
l
for Telecom and Industrial Use
High Frequency Buck Converters for
20V
14m ?
54A ?
Computer Processor Power
l
Lead-Free
Benefits
l
l
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R DS(on) at 4.5V V GS
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRL3715
D 2 Pak
IRL3715S
TO-262
IRL3715L
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V DS
V GS
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T A = 25°C
T J , T STG
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation ?
Linear Derating Factor
Junction and Storage Temperature Range
Max.
20
± 20
54 ?
38 ?
210
71
3.8
0.48
-55 to + 175
Units
V
V
A
W
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
2.1
R θ CS
R θ JA
R θ JA
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface ?
Junction-to-Ambient ?
Junction-to-Ambient (PCB mount) ?
0.50
–––
–––
–––
62
40
°C/W
Notes ? through ? are on page 11
www.irf.com
1
06/07/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3715ZCSTRLP | MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK |
| IRL3715ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK |
| IRL3716STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK |
| IRL3803STRR | MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK |
| IRL3803 | MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3715STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3715STRRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3715Z | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3715ZCL | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power |
| IRL3715ZCLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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