- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录448 > IRL3715STRLPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRL3715STRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 54A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL3715/S/LPbF
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T
+
?
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
+
?
-
-
?
+
?
R G
Driver Gate Drive
P.W.
?
?
?
?
Period
dv/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
P.W.
D=
Period
+
-
V DD
Reverse
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V
*
Recovery
Body Diode Forward
Current
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
Re-Applied
dv/dt
V DD
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Ripple ≤ 5%
Forward Drop
I SD
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 14. For N-Channel HEXFET ? Power MOSFETs
www.irf.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3715ZCSTRLP | MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK |
| IRL3715ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK |
| IRL3716STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK |
| IRL3803STRR | MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK |
| IRL3803 | MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3715STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3715STRRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3715Z | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3715ZCL | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power |
| IRL3715ZCLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。