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参数资料
| 型号： | IRL3714ZSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.55V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 35W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRL3714ZSPBF |
IRL3714Z/S/LPbF
1000
VGS
1000
VGS
TOP
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
TOP
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
100
BOTTOM
3.0V
100
BOTTOM
3.0V
10
10
3.0V
3.0V
30μs PULSE WIDTH
30μs PULSE WIDTH
1
Tj = 25°C
1
Tj = 175°C
0.1
1
10
0.1
1
10
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000
2.0
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
I D = 36A
VGS = 10V
100
10
1.0
TJ = 25°C
T J = 175°C
VDS = 10V
30μs PULSE WIDTH
1.5
1.0
0.5
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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