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参数资料
| 型号： | IRL3714ZSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.55V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 35W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRL3714ZSPBF |
IRL3714Z/S/LPbF
TO-220AB Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
10.54 (.415)
10.29 (.405)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
-A-
4.69 (.185)
4.20 (.165)
-B-
1.32 (.052)
1.22 (.048)
6.47 (.255)
15.24 (.600)
4
6.10 (.240)
HEXFET IGBTs, CoPACK
14.84 (.584)
1.15 (.045)
MIN
LEAD ASSIGNMENTS
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
1- GATE - DRAIN
1
2
3
2
1- GATE
3 -
2- DRAIN SOURCE 2- COLLECTOR
14.09 (.555)
13.47 (.530)
4.06 (.160)
3.55 (.140)
4 -
3- SOURCE DRAIN
4- DRAIN
3- EMITTER
4- COLLECTOR
0.69 (.027)
3X
1.40 (.055)
1.15 (.045)
0.93 (.037)
3X
0.36 (.014)
M
B A M
0.55 (.022)
3X
0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.54 (.100)
2X
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH
2.64 (.104)
3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB.
4 HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS.
TO-220AB Part Marking Information
E XAMP L E : T HIS IS AN IR F 1010
L OT CODE 1789
AS S E MB L E D ON WW 19, 1997
IN T H E AS S E MB L Y L INE "C"
Note: "P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
www.irf.com
INT E R NAT IONAL
R E CT IF IE R
L OGO
AS S E MB L Y
L OT CODE
P AR T NU MB E R
DAT E CODE
YE AR 7 = 1997
WE E K 19
L INE C
9
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PDF描述 |
|---|---|
| B32560J3823J | FILM CAP 82NF 5% 250V |
| MP147A | CRYSTAL 14.7456 MHZ 20 PF FUND |
| B32560J1224K | FILM CAP 0.22UF 10% 100V |
| B32529C8152K | FILM CAP 0.0015UF 10% 630V |
| PLA10AS1030R7R2B | COMMON MODE CHOKE 10MH .7A T/H |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRL3714ZSTRRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 6.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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