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参数资料
型号： IRL3714ZSTRRPBF
厂商： International Rectifier
文件页数： 1/13页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
标准包装： 800
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 36A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 16 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 2.55V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 7.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 550pF @ 10V
功率 - 最大： 35W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装： D2PAK
包装： 带卷 (TR)
PD - 95661
IRL3714ZPbF
IRL3714ZSPbF
Applications
IRL3714ZLPbF
HEXFET ? Power MOSFET
l
High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
V DSS R DS(on) max
Qg
l
Lead-Free
20V
16m
4.8nC
Benefits
l
l
l
Low R DS(on) at 4.5V V GS
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRL3714Z
D 2 Pak
IRL3714ZS
TO-262
IRL3714ZL
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
V GS
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T C = 100°C
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
20
± 20
36
25
140
35
18
0.23
-55 to + 175
300 (1.6mm from case)
V
A
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ CS
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
–––
0.50
–––
–––
4.3
–––
62
40
°C/W
Notes ? through ? are on page 12
www.irf.com
1
7/30/04
相关PDF资料
PDF描述
M2032S2A2G30 SWITCH TOGGLE 3PDT .4VA PC TAIL
P2021BZ SWITCH TOGGLE DPST .187" QC
B32653A0473J000 CAP FILM 0.047UF 1KVDC RADIAL
B32653A4224J000 CAP FILM 0.22UF 400VDC RADIAL
IXTP6N50P MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
相关代理商/技术参数
参数描述
IRL3715 功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3715L 功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3715LPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IRL3715S 功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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