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参数资料
| 型号： | IRL3715LPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 54A TO-262 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 54A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRL3715LPBF |
IRL3715/S/LPbF
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = C gs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
SHORTED
14
12
I D = 21A
V DS = 16V
V DS = 10V
Coss = Cds + Cgd
1000
100
Ciss
Coss
Crss
10
8
6
4
2
FOR TEST CIRCUIT
10
1
10
100
0
0
5
10
SEE FIGURE 13
15 20
25
100
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 175 ° C
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
T J = 25 C
1
°
10
Tc = 25°C
1msec
10msec
Tj = 175°C
0.1
0.2
V GS = 0 V
0.7 1.2 1.7 2.2
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
1
1
Single Pulse
10
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
100
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3714SPBF | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK |
| IRL3715PBF | MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB |
| IRL3714LPBF | MOSFET N-CH 20V 36A TO-262 |
| IRL3714PBF | MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB |
| IRL3716LPBF | MOSFET N-CH 20V 180A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3715PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3715S | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3715SPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3715STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3715STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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