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参数资料
| 型号： | IRL3715ZCSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.55V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 870pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 45W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
IRL3715ZCS/LPbF
1000
100
10
VGS
TOP 10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
1000
100
10
VGS
TOP 10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
3.0V
3.0V
1
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0.1
1
10
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000
2.0
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
ID = 30A
VGS = 10V
100
T J = 25°C
T J = 175°C
1.5
1.0
VDS = 10V
60μs PULSE WIDTH
10
3.0
4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
10.0
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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