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参数资料
| 型号： | IRL3715ZSTRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.55V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 870pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 45W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL3715Z/S/LPbF
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
12
10
ID= 12A
VDS= 20V
VDS= 10V
C oss = C ds + C gd
8
1000
Ciss
Coss
6
4
2
Crss
0
100
0
4
8
12
16
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
1000.0
1000
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100.0
100
T J = 175°C
10.0
100μsec
10
1.0
T J = 25°C
Tc = 25°C
1msec
0.1
VGS = 0V
1
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
1
10
100
4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3716STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK |
| IRL3803STRR | MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK |
| IRL3803 | MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB |
| IRL510STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK |
| IRL520NSTRR | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3715ZSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3715ZSTRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3716 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3716HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:IRL3716HR - Tape and Reel |
| IRL3716L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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