型号: | IRL510 |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 100V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为100V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
中文描述: | 5.6 A, 100 V, 0.44 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封装: | TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 4/7页 |
文件大小: | 236K |
代理商: | IRL510 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRL510A | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRL510A_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
IRL510A_Q | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRL510L | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRL510PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |