收藏本站
参数资料
型号： IRL510A
厂商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 5.6 A, 100 V, 0.44 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封装： TO-220, 3 PIN
文件页数： 6/8页
文件大小： 242K
代理商： IRL510A
IRL510A
6
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
5V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
相关PDF资料
PDF描述
IRL510 100V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为100V的N沟道增强型功率MOS场效应管)
IRL520A Advenced Power MOSFET
IRL520S 100V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为100V的N沟道增强型功率MOS场效应管)
IRL530 RES 0R .1W 1% MF 805 CHP
IRL530N HEXFET Power MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
IRL510A_NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
IRL510A_Q 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL510L 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL510PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL510S 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*