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参数资料
| 型号： | IRL530A |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Advanced Power MOSFET |
| 中文描述： | 14 A, 100 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | IRL530A |
IRL530A
100
--
1.0
--
--
--
--
--
0.1
--
--
--
--
--
140
60
10
11
29
15
16.9
2.7
9.7
--
--
2.0
100
-100
10
100
0.12
--
755
175
75
30
30
70
40
24
--
--
10.2
580
--
--
--
109
0.41
14
49
1.5
--
--
Notes ;
①
Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
②
L=2mH, I
AS
=14A, V
DD
=25V, R
G
=27
, Starting T
J
=25
℃
③
I
SD
≤
14A, di/dt
≤
350A/
μ
s, V
DD
≤
BV
DSS
, Starting T
J
=25
℃
④
Pulse Test : Pulse Width = 250
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
⑤
Essentially Independent of Operating Temperature
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Electrical Characteristics
(T
C
=25
℃
unless otherwise specified)
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coeff.
Gate Threshold Voltage
Gate-Source Leakage , Forward
Gate-Source Leakage , Reverse
Characteristic
Symbol
BV
DSS
Δ
BV/
Δ
T
J
V
GS(th)
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain(
＂
Miller
＂
) Charge
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
DS(on)
I
GSS
I
DSS
V
V/
℃
V
nA
μ
A
pF
ns
nC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
GS
=0V,I
D
=250
μ
A
I
D
=250
μ
A
See Fig 7
V
DS
=5V,I
D
=250
μ
A
V
GS
=20V
V
GS
=-20V
V
DS
=100V
V
DS
=80V,T
C
=150
℃
V
GS
=5V,I
D
=7A
④
V
DS
=40V,I
D
=7A
④
V
DD
=50V,I
D
=14A,
R
G
=6
See Fig 13
④ ⑤
V
DS
=80V,V
GS
=5V,
I
D
=14A
See Fig 6 & Fig 12
④ ⑤
Drain-to-Source Leakage Current
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f =1MHz
See Fig 5
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Continuous Source Current
Pulsed-Source Current
①
Diode Forward Voltage
④
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Characteristic
Symbol
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
--
--
--
--
--
A
V
ns
μ
C
Integral reverse pn-diode
in the MOSFET
T
J
=25
℃
,I
S
=14A,V
GS
=0V
T
J
=25
℃
,I
F
=14A
di
F
/dt=100A/
μ
s
④
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRL540A | Advanced Power MOSFET |
| IRL540 | 100V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为100V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
| IRL620A | 200V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为200V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
| IRL620S | 200V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为200V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
| IRL620 | 200V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为200V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRL530N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
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| IRL530NL | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL530NLPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 17A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
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