参数资料
型号: IRL530S
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 8/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
标准包装: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 160 毫欧 @ 9A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 930pF @ 25V
功率 - 最大: 3.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
其它名称: *IRL530S
Package Information
Vishay Siliconix
TO-263AB (HIGH VOLTAGE)
A
(Dat u m A)
3
4
A
A
B
E
c2
4
L1
4
Ga u ge
H
plane
0° to 8 °
B
D
L2
B
1
B
2
C
3
C
H
5
Detail A
L3
L
L4
Detail “A”
Rotated 90° CW
scale 8 :1
A1
Seating plane
2 x b 2
2x b
c
A
2xe
0.010 M A M B
± 0.004 M B
E
Base
Plating
(c)
5
b 1, b 3
metal
5
c1
D1
4
( b , b 2)
Lead tip
MILLIMETERS
Section B - B and C - C
Scale: none
INCHES
E1
V ie w A - A
MILLIMETERS
4
INCHES
DIM.
A
A1
b
MIN.
4.06
0.00
0.51
MAX.
4.83
0.25
0.99
MIN.
0.160
0.000
0.020
MAX.
0.190
0.010
0.039
DIM.
D1
E
E1
MIN.
6.86
9.65
6.22
MAX.
-
10.67
-
MIN.
0.270
0.380
0.245
MAX.
-
0.420
-
b1
0.51
0.89
0.020
0.035
e
2.54 BSC
0.100 BSC
b2
b3
c
c1
1.14
1.14
0.38
0.38
1.78
1.73
0.74
0.58
0.045
0.045
0.015
0.015
0.070
0.068
0.029
0.023
H
L
L1
L2
14.61
1.78
-
-
15.88
2.79
1.65
1.78
0.575
0.070
-
-
0.625
0.110
0.066
0.070
c2
1.14
1.65
0.045
0.065
L3
0.25 BSC
0.010 BSC
D
8.38
9.65
0.330
0.380
L4
4.78
5.28
0.188
0.208
ECN: S-82110-Rev. A, 15-Sep-08
D W G: 5970
Notes
1. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M-1994.
2. Dimensions are shown in millimeters (inches).
3. Dimension D and E do not include mold flash. Mold flash shall not exceed 0.127 mm (0.005") per side. These dimensions are measured at the
outmost extremes of the plastic body at datum A.
4. Thermal PAD contour optional within dimension E, L1, D1 and E1.
5. Dimension b1 and c1 apply to base metal only.
6. Datum A and B to be determined at datum plane H.
7. Outline conforms to JEDEC outline to TO-263AB.
Document Number: 91364
Revision: 15-Sep-08
www.vishay.com
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PDF描述
MB2411E1G01-HC SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V
MB2411E1G01-HA SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V
PCA8802U/12AA/1,00 IC SMARTCARD RTC UNCASED FFC
ASSFLP1-R-D05 OSC PROG 2.5V 25PPM DWN SPRD SMD
3362P-1-473 TRIMMER 47K OHM 0.5W TH
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参数描述
IRL530STRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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IRL531 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-220AB
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