参数资料
型号: IRL540
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
标准包装: 1,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 28A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 77 毫欧 @ 17A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 64nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25V
功率 - 最大: 150W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
其它名称: *IRL540
IRL540, SiHL540
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, T C = 25 °C
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, T C = 175 °C
Document Number: 91300
S11-0519-Rev. B, 21-Mar-11
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.vishay.com
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
IRL540A 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL540L 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 28 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL540N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
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IRL540NL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件