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参数资料
| 型号： | IRL640A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 9A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1705pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
December 2013
IRL640A
N-Channel Logic Level A-FET
200 V, 18 A, 180 m ?
Description
Features
These N-Channel enhancement mode power field
effect transistors are produced using Fairchild’s
proprietary, planar, DMOS technology. This advanced
technology has been especially tailored to minimize
on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices
are well suited for high efficiency switching DC/DC
converters, switch mode power supplies, DC-AC
converters for uninterrupted power supply and motor
control.
?
?
?
?
?
?
?
18 A, 200 V, R DS(on) = 180 m ? @ V GS = 5 V
Low G ate C harge ( Typ. 40 nC)
Low Crss ( Typ. 95 pF)
Fast S witching
100% A valanche T ested
Improved dv/dt C apability
Logic-Level Gate Drive
D
D
G
S
TO-220
G
Absolute Maximum Ratings
S
Symbol
V DSS
I D
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T C =25 ° C)
Continuous Drain Current (T C =100 ° C)
Value
200
18
11.4
Units
V
A
I DM
V GS
E AS
I AR
E AR
dv/dt
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
(1)
(2)
(1)
(1)
(3)
63
± 20
64
18
11
5
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
P D
T J , T STG
T L
Total Power Dissipation (T C =25 ° C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds
110
0.88
- 55 to +150
300
W
W/ ° C
° C
Thermal Resistance
Symbol
R θ JC
R θ CS
R θ JA
?1999 Fairchild Semiconductor Corporation
IRL640A Rev. C0
Characteristic
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
1
Typ.
--
0.5
--
Max.
1.14
--
62.5
Units
° C/W
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL640L | MOSFET N-CH 200V 17A TO-262 |
| IRL640STRR | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK |
| IRLBD59N04ETRLP | MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5 |
| IRLD014 | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP |
| IRLHM620TR2PBF | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL640L | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 17A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL640PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL640S | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL640SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL640STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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